但公开的资料显示这个谈判并不顺利，数控术也没有消息透露出已经成功。

（b）在2K时，系统PtTe2薄膜的MR沿两个不同方向的磁场变化。中伺制技展望表明PtTe2是低功率SOT器件和与电荷自旋互转换有关的其他应用的引人注目的材料。

服控（d）相位脱散长度lφ的温度相关性及其用lφ∝T-γ的拟合。根据ST-FMR测量，数控术在PtTe2/Py双层中建立了由类似阻尼转矩控制的大量SOT，其中PtTe2的TSS可能起重要作用。总之，系统该工作提出了一种可行的策略来研究自旋电子学的潜在TMD材料。

（b）PtTe2中的Irf流动会生成包括面内和面外分量的SOT，中伺制技展望并驱动Py的磁化沿长轴方向有效进入。（c）PtTe2薄膜在H⊥和低温下的磁导，服控其中Δσxx=(L/Wt)/Rxx，L、W和t为PtTe2通道的长度、宽度和厚度。

典型的SOT设备由重金属/铁磁体（HM/FM）双层组成，数控术其中HM（Pt、数控术W等）主要由于自旋霍尔效应（SHE）将电荷电流转换为自旋电流，然后在相邻的FM上施加扭矩，从而实现磁化操纵。

在目前研究的TMD中，系统PtTe2的自旋霍尔电导率（0.2-2×105ℏ/2e(Ωm)-1）最大，可与Pt和拓扑绝缘体相比。中伺制技展望（e）Cs3Cu2I5纳米晶的吸收光谱。

服控【引言】照明和显示是国民经济的重要支柱型产业。上述结果验证了新型Cs3Cu2I5纳米晶作为稳定、数控术高效蓝光发射体的巨大潜力，为环境友好型蓝光量子点LED的研制提供了新的思路。

进一步，系统通过将Cs3Cu2I5纳米晶作为发光层，成功制备出了环境友好型的电驱动深蓝光LED。中伺制技展望（i）Cs3Cu2I5材料的自限域激子态发光特征。